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IXTV230N085T
IXTV230N085TS
240
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
220
200
180
160
140
120
100
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
300
250
200
150
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
80
60
100
40
20
0
5V
50
0
5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
1
2
3
4
5
6
240
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 115A Value
vs. Junction Temperature
220
200
180
160
140
120
100
80
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
I D = 230A
I D = 115A
60
40
20
0
5V
1.0
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 115A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.6
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
80
External Lead Current Limit
2.4
2.2
70
60
2
50
1.8
1.6
1.4
40
30
1.2
1
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXTV26N50P 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTV26N50PS 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTV26N60PS 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXTV280N055TS 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube